PEQUIM, China, PRNewswire-Asia -- A TankeBlue Semiconductor Co. Ltd., uma pioneira da indústria do SiC (carbeto de silício) da região Ásia-Pacífico, aumentou recentemente a produção de wafers de SiC de 3" de alta qualidade. Anteriormente neste ano, a TankeBlue reduziu seu preço dos wafers de 2" para um nível recorde, em resposta ao aumento das demandas do mercado de consumidores de SiC em todo o mundo. Atualmente, a companhia pode fornecer, em maior escala, wafers condutores 4H-SiC do tipo N de 3" com densidade de micropipe abaixo de 10 cm-2, um parâmetro chave de qualidade para as aplicações. Os outros parâmetros chave de qualidade do wafer 4H-SiC de 3", tais como a resistividade (menos de 0,03 ohm.cm) e a largura a meia altura (full width at the half maximum - FWHM: 30 arcseg) da curva de "rocking" do raio-X, também tornam a qualidade do wafer bastante competitiva, em comparação com outros fornecedores dos Estados Unidos e da Europa. Adicionalmente, a qualidade do processamento dos wafers de SiC é comprovadamente epi-ready (pronta para o processo epitaxial), excelente para aumento do nitrato de gálio (GaN) e/ou epicamadas de SiC do wafer de SiC. Os dispositivos de SiC, tais como o diodo de barreira de Schottky, o transistor de semicondutor metático/óxido de efeito de campo, processados no wafer pelos clientes, demonstraram alto desempenho, comparável com aqueles nos wafers de SiC de outros fornecedores. Isto, obviamente, torna a TankeBlue uma nova fonte de fornecimento de wafers de SiC de 3" e, certamente, isto é uma mudança bem-vinda para a comunidade de semicondutores de SiC em todo o mundo. Como é sabido, os dispositivos semicondutores baseados em silício são difíceis de operar em temperaturas acima de 523 K. Isto limita as funções e aplicações dos dispositivos baseados em silício. Devido às suas excelentes propriedades térmicas e elétricas, o wafer de SiC do tipo N é um substrato ideal para a fabricação de dispositivos de energia de SiC em aplicações de alta temperatura, alta energia, alta frequência e alta radiação e para exigências de economia de energia. Já estão em andamento os esforços da companhia no desenvolvimento do crescimento do cristal SiC de 4" para tornar-se uma das maiores participantes do mercado de wafers.
